一种电池边缘钝化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010382328.X

申请日：

2020-05-08

公开(公告)号：

CN111509091B

公开(公告)日：

2020-08-07

发明(设计)人：

黄海冰吴智涵绪欣曹育红沈梦超张胜军张梦葛

申请人：

申请人地址：

213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31068

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20200508
2022-03-22	授权	授权
2020-08-07	公开	公开

共 50 条

[1]

电池边缘钝化方法 [P].

黄海冰 ;

吴智涵 ;

绪欣 ;

曹育红 ;

沈梦超 ;

张胜军 ;

张梦葛 .

中国专利 :CN111509090B ,2020-08-07

[2]

一种双面钝化晶体硅太阳能电池 [P].

赵华飞 .

中国专利 :CN211295118U ,2020-08-18

[3]

一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

周理想 ;

池丹 ;

陆肖励 .

中国专利 :CN109087965A ,2018-12-25

[4]

一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺 [P].

李爱丽 ;

刘吉人 ;

万资仁 ;

唐维泰 ;

余钦章 ;

李文艳 ;

罗伟 ;

潘若宏 ;

张志红 .

中国专利 :CN103746007A ,2014-04-23

[5]

硅基太阳能电池边缘钝化层、复合边缘钝化结构及其制备方法 [P].

杜大学 ;

胡建波 ;

梁建军 ;

李晨 ;

叶方圆 ;

于仲睿 .

中国专利 :CN121174719A ,2025-12-19

[6]

一种双面镀膜钝化电池 [P].

沈华苗 .

中国专利 :CN202601625U ,2012-12-12

[7]

一种晶体硅太阳能电池及其钝化方法 [P].

董经兵 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN101499502A ,2009-08-05

[8]

电池边缘钝化方法、太阳能电池 [P].

吴魁艺 ;

王子港 ;

陈达明 .

中国专利 :CN119815976A ,2025-04-11

[9]

一种双面poly选择性钝化接触电池制备方法 [P].

刘奇尧 ;

潘家彦 ;

上官泉元 .

中国专利 :CN118231516A ,2024-06-21

[10]

背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法 [P].

李吉 .

中国专利 :CN108470799B ,2018-08-31

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