半导体器件的制造生产线

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510081113.X

申请日：

2000-04-11

公开(公告)号：

CN100380581C

公开(公告)日：

2005-11-16

发明(设计)人：

井上准一浅川辉雄杉山一彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

胡建新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-16	公开	公开
2014-06-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582610322 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL200510081113X 申请日:20000411 授权公告日:20080409 终止日期:20130411
2008-04-09	授权	授权
2006-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法及其制造生产线 [P].

井上准一 ;

浅川辉雄 ;

杉山一彦 .

中国专利 :CN1347566A ,2002-05-01

[2]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

大村光广 ;

片野真希子 ;

伊藤彰子 ;

松下贵哉 ;

金子尚史 .

中国专利 :CN1316594C ,2005-04-13

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

川嶋祥之 ;

吉田省史 .

中国专利 :CN105489557A ,2016-04-13

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

为则启 .

中国专利 :CN103069546B ,2013-04-24

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[8]

半导体器件 [P].

田原伊和男 ;

三原一郎 ;

青木由隆 .

中国专利 :CN1177368C ,2002-03-06

[9]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

[10]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

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