半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910141718.1

申请日：

2005-03-09

公开(公告)号：

CN101615619A

公开(公告)日：

2009-12-30

发明(设计)人：

山崎舜平荒尾达也

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2713

IPC分类号：

H01Q2300 H01Q138 G06K19077

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-02-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/13 申请日:20050309 授权公告日:20111130 终止日期:20210309
2011-11-30	授权	授权
2009-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

荒尾达也 .

中国专利 :CN100514604C ,2007-03-14

[2]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN1938901A ,2007-03-28

[3]

半导体器件 [P].

清水和宏 .

中国专利 :CN1540863A ,2004-10-27

[4]

半导体器件 [P].

清水和宏 .

中国专利 :CN101399532A ,2009-04-01

[5]

半导体器件 [P].

加藤清 ;

高山彻 ;

丸山纯矢 ;

后藤裕吾 ;

大野由美子 .

中国专利 :CN1523668B ,2004-08-25

[6]

半导体器件 [P].

盐野入丰 ;

野田耕生 .

中国专利 :CN102640279B ,2012-08-15

[7]

半导体器件 [P].

H·K·克洛恩 ;

G·H·F·W·斯蒂恩布鲁根 ;

P·W·M·范德瓦特 .

中国专利 :CN100372105C ,2005-07-27

[8]

半导体器件的制造方法,半导体器件的评估方法和半导体器件 [P].

矶部敦生 .

中国专利 :CN1873949A ,2006-12-06

[9]

半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法 [P].

高山彻 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN100397556C ,2003-01-08

[10]

半导体器件以及电力半导体器件 [P].

尾西一明 .

中国专利 :CN102244053B ,2011-11-16

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