一种高电子迁移率晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410479659.X

申请日：

2014-09-19

公开(公告)号：

CN104269434A

公开(公告)日：

2015-01-07

发明(设计)人：

裴轶

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23栋214室

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

路凯;杨生平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	公开	公开
2018-01-05	授权	授权
2015-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596967303 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:201410479659X 申请日:20140919

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

:CN110754002B ,2024-03-19

[2]

高电子迁移率晶体管 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06

[3]

平面高电子迁移率晶体管 [P].

周翔 .

中国专利 :CN114664943A ,2022-06-24

[4]

高电子迁移率晶体管 [P].

张进成 ;

付小凡 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

陈珂 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130159A ,2011-07-20

[5]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘梅 .

中国专利 :CN109560129A ,2019-04-02

[6]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN110754002A ,2020-02-04

[7]

高电子迁移率晶体管 [P].

魏星 ;

王中健 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103745989B ,2014-04-23

[8]

高电子迁移率晶体管 [P].

A·库迪姆 ;

J·拉姆德尼 ;

L·刘 .

中国专利 :CN105720096A ,2016-06-29

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

吴绍飞 .

中国专利 :CN109285881A ,2019-01-29

[10]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘柏均 ;

喻中一 ;

陈祈铭 ;

江振豪 .

中国专利 :CN103943674A ,2014-07-23

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