氧化物半导体膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510219946.1

申请日：

2015-05-04

公开(公告)号：

CN106206684B

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

庄大明赵明曹明杰郭力高泽栋魏要伟

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L2102

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	授权	授权
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695219101 IPC(主分类):H01L 29/24 专利申请号:2015102199461 申请日:20150504
2016-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法 [P].

庄大明 ;

赵明 ;

曹明杰 ;

郭力 ;

欧阳良琦 ;

孙汝军 .

中国专利 :CN106435491B ,2017-02-22

[2]

溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法 [P].

庄大明 ;

赵明 ;

曹明杰 ;

郭力 ;

张冷 ;

魏要伟 .

中国专利 :CN106435490B ,2017-02-22

[3]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

井坂史人 ;

大野敏和 ;

惠木勇司 ;

佐藤优一 ;

保本清治 .

日本专利 :CN120692905A ,2025-09-23

[4]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[5]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105324509A ,2016-02-10

[6]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

谷川幸登 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109417037A ,2019-03-01

[7]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

谷川幸登 ;

人罗俊实 .

日本专利 :CN109417037B ,2024-03-15

[8]

一种基于氧化物半导体膜制备方法 [P].

赵春雷 ;

崔星华 ;

柴源 ;

王立光 ;

迟耀丹 ;

周璐 ;

高晓红 ;

王超 .

中国专利 :CN109962011A ,2019-07-02

[9]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[10]

氧化物半导体膜和半导体器件 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 .

中国专利 :CN106104811A ,2016-11-09

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