碳化硅纳米纸传感器及其制作方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310122742.7

申请日：

2013-04-10

公开(公告)号：

CN103196955B

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

李公义马军李义和胡天娇彭刚李效东

申请人：

申请人地址：

410073 湖南省长沙市德雅路109号中国人民解放军国防科学技术大学理学院

IPC主分类号：

G01N2704

IPC分类号：

代理机构：

湖南兆弘专利事务所 43008

代理人：

赵洪;杨斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503533320 IPC(主分类):G01N 27/04 专利申请号:2013101227427 申请日:20130410
2013-07-10	公开	公开
2015-01-07	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅装置及其制作方法 [P].

P.A.罗西 ;

L.D.斯特瓦诺维奇 ;

G.T.邓恩 ;

A.V.博罗特尼科夫 .

中国专利 :CN108780816A ,2018-11-09

[2]

集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法 [P].

邓小川 ;

宋凌云 ;

陈茜茜 ;

柏思宇 ;

张波 .

中国专利 :CN106098780A ,2016-11-09

[3]

碳化硅器件及其制作方法 [P].

王士京 ;

王兆祥 ;

张名瑜 ;

王铃沣 ;

王昕 ;

李俭 .

中国专利 :CN119008400B ,2025-02-25

[4]

碳化硅器件及其制作方法 [P].

王士京 ;

王兆祥 ;

张名瑜 ;

王铃沣 ;

王昕 ;

李俭 .

中国专利 :CN119008400A ,2024-11-22

[5]

以碳化硅纳米线为气敏材料制备气体传感器的方法 [P].

陈建军 .

中国专利 :CN102749357A ,2012-10-24

[6]

碳化硅温度传感器及其制造方法 [P].

张林 ;

李演明 ;

邱彦章 ;

巨永锋 .

中国专利 :CN103033276B ,2013-04-10

[7]

碳化硅纳米颗粒及其制备方法和应用 [P].

王城 ;

周加文 ;

夏维东 .

中国专利 :CN113105245A ,2021-07-13

[8]

碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

高万源 .

中国专利 :CN120229963A ,2025-07-01

[9]

碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114464680B ,2025-12-05

[10]

碳化硅功率器件及其制作方法 [P].

罗曦溪 .

中国专利 :CN120751750B ,2025-12-12

← 1 2 3 4 5 →