半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN201410040133.1
申请日
2014-01-07
公开(公告)号
CN103915399A
公开(公告)日
2014-07-09
发明(设计)人
泽田刚一 田中靖士
申请人
申请人地址
日本爱知县
IPC主分类号
H01L23485
IPC分类号
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
陈松涛;王英
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及半导体封装件 [P]. 
金恩知 ;
赵星东 ;
朴光郁 ;
朴相俊 ;
李大硕 ;
李学承 .
中国专利 :CN112242379A ,2021-01-19
[2]
半导体器件及半导体封装件 [P]. 
金恩知 ;
赵星东 ;
朴光郁 ;
朴相俊 ;
李大硕 ;
李学承 .
韩国专利 :CN112242379B ,2025-12-05
[3]
半导体器件和半导体器件组件 [P]. 
辻内干夫 ;
多留谷政良 ;
竹内阳介 .
中国专利 :CN102208429A ,2011-10-05
[4]
半导体器件 [P]. 
内田慎一 ;
中柴康隆 .
中国专利 :CN101459178A ,2009-06-17
[5]
半导体器件 [P]. 
金成玟 ;
河大元 .
中国专利 :CN111682015A ,2020-09-18
[6]
半导体器件 [P]. 
豆谷智治 ;
永井享浩 .
中国专利 :CN1218291A ,1999-06-02
[7]
半导体器件 [P]. 
多田勇治 .
中国专利 :CN1180469C ,2001-08-08
[8]
半导体器件 [P]. 
伊藤贵之 .
中国专利 :CN1855496A ,2006-11-01
[9]
半导体器件 [P]. 
新川吉和 .
中国专利 :CN1845331A ,2006-10-11
[10]
半导体器件 [P]. 
吐田真一 ;
久保胜 .
中国专利 :CN106030768A ,2016-10-12