功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01123243.9

申请日：

2001-07-20

公开(公告)号：

CN1354510A

公开(公告)日：

2002-06-19

发明(设计)人：

西堀弘深田雅一吉田贵信吉松直树高尾治雄木本信义上贝康己

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2315

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王岳;叶恺东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-08-06	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 23/15 申请日:20010720 授权公告日:20050525
2005-05-25	授权	授权
2002-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

楠川顺平 ;

井出英一 ;

平尾高志 ;

金子裕二朗 .

日本专利 :CN117501434A ,2024-02-02

[2]

半导体器件 [P].

征矢野伸 .

中国专利 :CN102576706A ,2012-07-11

[3]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[4]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[5]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN111326575B ,2025-05-13

[6]

功率半导体器件 [P].

M.费尔 ;

P.C.布兰特 ;

E.莱歇尔 ;

H.梅克尔 ;

K.施拉姆尔 .

中国专利 :CN110660795A ,2020-01-07

[7]

功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN211428177U ,2020-09-04

[8]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN111326575A ,2020-06-23

[9]

功率半导体器件 [P].

朴镇玉 ;

姜男主 ;

宋承昱 ;

李枓炯 ;

李在德 .

韩国专利 :CN119907281A ,2025-04-29

[10]

功率半导体器件 [P].

石川胜美 ;

齐藤克明 ;

佐藤裕 ;

渡边笃雄 ;

加藤修治 ;

门马直弘 .

中国专利 :CN1150337A ,1997-05-21

← 1 2 3 4 5 →