一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810198947.6

申请日：

2018-03-12

公开(公告)号：

CN108346706A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

黄海宾周浪袁吉仁高超岳之浩

申请人：

申请人地址：

330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L310687 H01L31054

代理机构：

南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人：

施秀瑾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	公开	公开
2020-01-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请公布日:20180731
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20180312

共 50 条

[31]

n型晶体硅双面太阳电池 [P].

毛卫平 ;

蔡永梅 ;

鲁伟明 ;

李华 .

中国专利 :CN206907779U ,2018-01-19

[32]

n型晶体硅双面太阳电池 [P].

毛卫平 ;

蔡永梅 ;

鲁伟明 ;

李华 .

中国专利 :CN107369726A ,2017-11-21

[33]

选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

刘伟 ;

万青 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102270703B ,2011-12-07

[34]

隐蔽型发射极硅太阳电池 [P].

龙维绪 ;

涂洁磊 ;

廖华 ;

刘祖明 ;

李景天 ;

申兰先 ;

马逊 ;

赵恒利 ;

杨培志 .

中国专利 :CN101740646A ,2010-06-16

[35]

选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

赵建华 ;

王艾华 ;

高鹏 ;

王继磊 ;

姚文杰 ;

连维飞 .

中国专利 :CN101101936A ,2008-01-09

[36]

一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构 [P].

王文静 ;

赵雷 .

中国专利 :CN101325224B ,2008-12-17

[37]

一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构 [P].

黄海宾 ;

周浪 ;

高江 .

中国专利 :CN102683468A ,2012-09-19

[38]

一种硅同质结双面太阳电池 [P].

王璞 ;

黄跃龙 ;

吴俊旻 ;

俞健 ;

陈涛 ;

陈红元 ;

王文贤 ;

李君君 .

中国专利 :CN209071339U ,2019-07-05

[39]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法 [P].

屈盛 .

中国专利 :CN101820009A ,2010-09-01

[40]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

梁宗存 ;

沈辉 ;

曾飞 ;

陈达明 .

中国专利 :CN101533874A ,2009-09-16

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