一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810198947.6

申请日：

2018-03-12

公开(公告)号：

CN108346706A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

黄海宾周浪袁吉仁高超岳之浩

申请人：

申请人地址：

330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L310687 H01L31054

代理机构：

南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人：

施秀瑾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	公开	公开
2020-01-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请公布日:20180731
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20180312

共 50 条

[41]

一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法 [P].

廖明墩 ;

吴晓钟 ;

沈艳 ;

王学林 ;

刘自龙 .

中国专利 :CN103151428A ,2013-06-12

[42]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

王登志 ;

王栩生 ;

邢国强 .

中国专利 :CN104659159A ,2015-05-27

[43]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

张为国 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN102593244A ,2012-07-18

[44]

一种晶体硅太阳电池 [P].

班群 ;

康凯 ;

陈刚 .

中国专利 :CN202585426U ,2012-12-05

[45]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

时宝 ;

吕俊 ;

陈燕 ;

杨敏 ;

倪志春 .

中国专利 :CN102437248A ,2012-05-02

[46]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

张春华 ;

周剑 ;

李栋 ;

向宏伟 ;

高文丽 ;

孟祥熙 ;

辛国军 .

中国专利 :CN102983214B ,2013-03-20

[47]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备工艺 [P].

沈辉 ;

陈达明 ;

林杨欢 ;

梁宗存 ;

曾飞 .

中国专利 :CN101916801A ,2010-12-15

[48]

一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构 [P].

赵雷 ;

王文静 .

中国专利 :CN101325225A ,2008-12-17

[49]

一种彩色双面晶体硅太阳电池 [P].

许佳平 ;

秦臻 ;

李宝磊 ;

王波 ;

程浩 ;

路忠林 .

中国专利 :CN222442197U ,2025-02-07

[50]

铝发射极背结背接触晶体硅太阳电池及其制造方法 [P].

董经兵 ;

李海波 ;

朱彦斌 ;

张斌 ;

邢国强 .

中国专利 :CN103594534B ,2014-02-19

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