一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810198947.6
申请日
2018-03-12
公开(公告)号
CN108346706A
公开(公告)日
2018-07-31
发明(设计)人
黄海宾 周浪 袁吉仁 高超 岳之浩
申请人
申请人地址
330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号
H01L310216
IPC分类号
H01L310687 H01L31054
代理机构
南昌新天下专利商标代理有限公司 36115
代理人
施秀瑾
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
高超 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
袁吉仁 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336160A ,2018-07-27
[22]
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
高超 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
袁吉仁 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN208315557U ,2019-01-01
[23]
一种晶硅异质结双面太阳电池结构 [P]. 
袁吉仁 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
高超 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336178A ,2018-07-27
[24]
一种具有HAC-D特征的晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
黄海宾 ;
周浪 ;
袁吉仁 ;
高超 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336156A ,2018-07-27
[25]
一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构 [P]. 
袁吉仁 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
高超 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108461553A ,2018-08-28
[26]
一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P]. 
陈坤 ;
郭爱华 ;
郑战军 ;
许佳平 ;
陈亮 .
中国专利 :CN201490199U ,2010-05-26
[27]
一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P]. 
闻震利 ;
张辉 ;
窦永铭 .
中国专利 :CN202049973U ,2011-11-23
[28]
具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池 [P]. 
梁宗存 ;
曾飞 ;
沈辉 .
中国专利 :CN202076275U ,2011-12-14
[29]
选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法 [P]. 
包诞文 .
中国专利 :CN102723401A ,2012-10-10
[30]
铝发射极背结背接触晶体硅太阳电池 [P]. 
董经兵 ;
李海波 ;
朱彦斌 ;
张斌 ;
邢国强 .
中国专利 :CN203674224U ,2014-06-25