制造半导体器件的方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110034048.4

申请日：

2021-01-12

公开(公告)号：

CN113299743A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

张正伟黄昱明曾奕森张根育刘奕莹

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L29417 H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	公开	公开
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20210112

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

张正伟 ;

黄昱明 ;

曾奕森 ;

张根育 ;

刘奕莹 .

中国专利 :CN113299743B ,2024-04-05

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[3]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[4]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[5]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

八高公一 .

中国专利 :CN102044443B ,2011-05-04

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[8]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

野口纯司 ;

滨田直秀 .

中国专利 :CN1417852A ,2003-05-14

[9]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

冈本真一 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

金阳 .

中国专利 :CN115332218A ,2022-11-11

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