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半导体发光器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310314297.4
申请日：
2010-02-20
公开(公告)号：
CN103441199B
公开(公告)日：
2013-12-11
发明(设计)人：
郑畴溶
申请人：
申请人地址：
韩国首尔
IPC主分类号：
H01L3312
IPC分类号：
H01L3348
H01L3300
H01L3362
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
顾晋伟;董文国
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-12-11 | 公开 | 公开 |
| 2021-08-27 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/12 登记生效日:20210816 变更事项:专利权人 变更前权利人:LG伊诺特有限公司 变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:韩国首尔 变更后权利人:江苏省苏州市太仓市常胜北路168号 |
| 2014-01-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562124294 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2013103142974 申请日:20100220 |
| 2016-08-10 | 授权 | 授权 |