半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310314297.4

申请日：

2010-02-20

公开(公告)号：

CN103441199B

公开(公告)日：

2013-12-11

发明(设计)人：

郑畴溶

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3348 H01L3300 H01L3362

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;董文国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-11	公开	公开
2021-08-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/12 登记生效日:20210816 变更事项:专利权人变更前权利人:LG伊诺特有限公司变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562124294 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2013103142974 申请日:20100220
2016-08-10	授权	授权

共 50 条

[41]

半导体发光器件 [P].

林祐湜 .

中国专利 :CN102047453A ,2011-05-04

[42]

半导体发光器件 [P].

黄京旭 ;

柳建旭 ;

车南求 ;

许在赫 ;

成汉珪 ;

郑薰在 .

中国专利 :CN103426988A ,2013-12-04

[43]

半导体发光器件 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN103400917A ,2013-11-20

[44]

半导体发光器件 [P].

中村淳一 ;

中津弘志 .

中国专利 :CN1086249C ,1997-10-01

[45]

半导体发光器件 [P].

尹柱宪 ;

金台勋 ;

沈载仁 .

中国专利 :CN110085715A ,2019-08-02

[46]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN103988322B ,2014-08-13

[47]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN100416876C ,2007-01-31

[48]

半导体发光器件 [P].

黄硕珉 ;

金载润 ;

李进馥 .

中国专利 :CN102456794A ,2012-05-16

[49]

半导体发光器件 [P].

勝野弘 ;

三木聪 ;

岡俊行 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104465935A ,2015-03-25

[50]

半导体发光器件 [P].

尹柱宪 ;

金台勋 ;

沈载仁 .

韩国专利 :CN110085715B ,2025-04-04

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