半导体处理装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580006009.2

申请日：

2005-02-24

公开(公告)号：

CN100414680C

公开(公告)日：

2007-02-28

发明(设计)人：

广木勤

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2168

IPC分类号：

B25J906 B25J1308 B65G4907

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-02-28	公开	公开
2008-08-27	授权	授权
2015-04-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101605320816 IPC(主分类):H01L 21/68 专利号:ZL2005800060092 申请日:20050224 授权公告日:20080827 终止日期:20140224

共 50 条

[1]

半导体处理装置和方法 [P].

李镇宇 ;

陈彦羽 .

中国专利 :CN113889426A ,2022-01-04

[2]

半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法 [P].

温子瑛 .

中国专利 :CN114188265B ,2025-06-17

[3]

半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法 [P].

温子瑛 .

中国专利 :CN114188265A ,2022-03-15

[4]

半导体元件处理方法和半导体元件处理装置 [P].

三保谷拓史 .

中国专利 :CN102714166B ,2012-10-03

[5]

半导体废气处理装置和半导体废气处理方法 [P].

张昱翀 ;

李轩 ;

程玉雪 .

中国专利 :CN117358025A ,2024-01-09

[6]

半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘定位方法 [P].

温子瑛 .

中国专利 :CN116844991B ,2025-09-02

[7]

用于处理半导体物体的处理装置和方法 [P].

M·米特迈尔 ;

B·哈默尔 ;

C·安特伯格尔 ;

S·肖恩 .

:CN118391593A ,2024-07-26

[8]

半导体处理装置和半导体处理系统 [P].

温子瑛 .

中国专利 :CN116844993B ,2025-07-15

[9]

半导体处理装置和半导体处理系统 [P].

温子瑛 .

中国专利 :CN120497194A ,2025-08-15

[10]

半导体基板装置、半导体处理方法以及半导体处理装置 [P].

金昶振 .

韩国专利 :CN117936518A ,2024-04-26

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