半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

申请号：

CN202180007394.1

申请日：

2021-02-15

公开(公告)号：

CN114846610A

公开(公告)日：

2022-08-02

发明(设计)人：

佐佐木直人斋藤谦一林优佑山田敦彦重歳卓志大井琢矢

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L2314 H01L213205 H01L21768 H01L23522

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

梁兴龙;姚鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

西田真 .

中国专利 :CN108630757A ,2018-10-09

[2]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

[3]

半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN103474354A ,2013-12-25

[4]

半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

木村龙一 .

中国专利 :CN103367601A ,2013-10-23

[5]

半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元 [P].

横山孝司 ;

梅林拓 .

中国专利 :CN104425439A ,2015-03-18

[6]

半导体装置制造方法、半导体装置和半导体芯片 [P].

谷田一真 ;

梅本光雄 ;

秋山雪治 .

中国专利 :CN100563005C ,2005-09-28

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

江间泰示 ;

水谷和宏 .

中国专利 :CN101479843B ,2009-07-08

[8]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

君冢直彦 .

日本专利 :CN119631598A ,2025-03-14

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

有金刚 ;

久本大 .

中国专利 :CN106486488A ,2017-03-08

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

菅井昭彦 .

中国专利 :CN102217071A ,2011-10-12

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