半导体器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201420044132.X
申请日
2014-01-23
公开(公告)号
CN203733779U
公开(公告)日
2014-07-23
发明(设计)人
施建根
申请人
申请人地址
226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号
IPC主分类号
H01L23488
IPC分类号
H01L23367
代理机构
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435
代理人
孟阿妮
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
E·杰加 ;
苏政扬 .
中国专利 :CN211929479U ,2020-11-13
[2]
半导体器件 [P]. 
张明 ;
李继鲁 ;
蒋谊 ;
陈芳林 ;
邹昌 ;
彭华文 .
中国专利 :CN101404273A ,2009-04-08
[3]
半导体器件 [P]. 
永田达也 ;
宫本诚司 ;
安藤英子 .
中国专利 :CN100390969C ,2005-12-28
[4]
半导体器件 [P]. 
天野良介 .
中国专利 :CN101847644A ,2010-09-29
[5]
器件和半导体器件 [P]. 
R·罗德里奎兹 ;
A·M·阿谷唐 ;
M·G·马明 .
中国专利 :CN209087825U ,2019-07-09
[6]
膜型半导体封装和方法,测试器件,半导体器件和方法 [P]. 
许南重 .
中国专利 :CN101005055A ,2007-07-25
[7]
半导体器件和包括半导体器件的通信系统 [P]. 
肱冈健一郎 ;
山口晃一 .
中国专利 :CN203192791U ,2013-09-11
[8]
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P·莫恩斯 ;
A·维拉莫 ;
P·范米尔贝克 ;
J·罗伊格-吉塔特 ;
F·伯格曼 .
中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02
[9]
IGBT半导体器件以及半导体器件 [P]. 
M·库鲁西 ;
J·瓦韦罗 .
中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01
[10]
单片半导体器件和半导体器件 [P]. 
J·W·霍尔 ;
G·M·格里弗纳 .
中国专利 :CN207367973U ,2018-05-15