一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201521025203.2

申请日：

2015-12-11

公开(公告)号：

CN205542755U

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

黄赛琴林勇黄国灿陈轮兴

申请人：

申请人地址：

351100 福建省莆田市涵江区赤港华侨经济开发区

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L23373

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-31	授权	授权
2021-10-29	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 23/488 登记号:Y2021350000132 登记生效日:20211013 出质人:福建安特微电子有限公司质权人:中国建设银行股份有限公司莆田分行实用新型名称:一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构申请日:20151211 授权公告日:20160831

共 50 条

[1]

一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化层 [P].

黄赛琴 ;

林勇 ;

黄国灿 ;

陈轮兴 .

中国专利 :CN205376531U ,2016-07-06

[2]

一种硅片背面金属化共晶结构 [P].

冯异 ;

陆宁 .

中国专利 :CN203179893U ,2013-09-04

[3]

背面金属化共晶工艺方法 [P].

吴耀辉 .

中国专利 :CN104299922A ,2015-01-21

[4]

可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化结构 [P].

王仁书 ;

徐永平 .

中国专利 :CN203300630U ,2013-11-20

[5]

一种背面金属化金共晶工艺 [P].

王献兵 .

中国专利 :CN112908848A ,2021-06-04

[6]

一种晶圆背面的金属化结构 [P].

苏晋苗 ;

苏冠暐 .

中国专利 :CN212062396U ,2020-12-01

[7]

一种晶圆背面金属化的方法及晶圆背面金属化结构 [P].

杨浩辉 ;

易文杰 ;

吕文利 ;

谢于柳 ;

石褔荣 .

中国专利 :CN114864396A ,2022-08-05

[8]

硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺 [P].

冯异 ;

陆宁 .

中国专利 :CN103963375A ,2014-08-06

[9]

可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化方法 [P].

徐永平 ;

王仁书 ;

张俊 .

中国专利 :CN103383916B ,2013-11-06

[10]

硅器件芯片背面银系溅射金属化 [P].

张利春 ;

赵忠礼 ;

高玉芝 ;

宁宝俊 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1052750A ,1991-07-03

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