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一种晶圆背面的金属化结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202020179384.9
申请日
:
2020-02-18
公开(公告)号
:
CN212062396U
公开(公告)日
:
2020-12-01
发明(设计)人
:
苏晋苗
苏冠暐
申请人
:
申请人地址
:
100000 北京市大兴区经济技术开发区荣华中路22号院1号楼6层604-1
IPC主分类号
:
H01L2167
IPC分类号
:
H01L29739
H01L21331
代理机构
:
北京中企讯专利代理事务所(普通合伙) 11677
代理人
:
熊亮
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-01
授权
授权
共 50 条
[1]
一种晶圆背面金属化结构、薄化装置及金属化制程方法
[P].
苏晋苗
论文数:
0
引用数:
0
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0
苏晋苗
;
苏冠暐
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苏冠暐
.
中国专利
:CN111403314A
,2020-07-10
[2]
一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘
[P].
徐占勤
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徐占勤
;
王德波
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王德波
;
陈鹏捷
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陈鹏捷
.
中国专利
:CN214612740U
,2021-11-05
[3]
一种硅片背面金属化共晶结构
[P].
冯异
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冯异
;
陆宁
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陆宁
.
中国专利
:CN203179893U
,2013-09-04
[4]
一种避免压擦伤的晶圆背面金属化蒸发装置
[P].
陈爱军
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陈爱军
;
杨天生
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杨天生
;
魏卿
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魏卿
;
高叶
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高叶
.
中国专利
:CN217459566U
,2022-09-20
[5]
背面金属化共晶工艺方法
[P].
吴耀辉
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吴耀辉
.
中国专利
:CN104299922A
,2015-01-21
[6]
一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构
[P].
黄赛琴
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黄赛琴
;
林勇
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林勇
;
黄国灿
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黄国灿
;
陈轮兴
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陈轮兴
.
中国专利
:CN205542755U
,2016-08-31
[7]
一种用于晶圆背面的薄化装置
[P].
苏晋苗
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苏晋苗
;
苏冠暐
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苏冠暐
.
中国专利
:CN214411126U
,2021-10-15
[8]
一种智能控温的晶圆背面金属化加工装置
[P].
陈爱军
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陈爱军
;
俞斌
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俞斌
;
袁平
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袁平
.
中国专利
:CN217768296U
,2022-11-08
[9]
一种晶圆背面金属化蒸镀镀层的异常检测装置
[P].
王小波
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机构:
苏州芯汇晶成半导体科技有限公司
苏州芯汇晶成半导体科技有限公司
王小波
;
杨天生
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机构:
苏州芯汇晶成半导体科技有限公司
苏州芯汇晶成半导体科技有限公司
杨天生
;
陈爱军
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机构:
苏州芯汇晶成半导体科技有限公司
苏州芯汇晶成半导体科技有限公司
陈爱军
;
袁平
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机构:
苏州芯汇晶成半导体科技有限公司
苏州芯汇晶成半导体科技有限公司
袁平
.
中国专利
:CN223107586U
,2025-07-15
[10]
一种用于晶圆背面的液体防护结构
[P].
丁杰
论文数:
0
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丁杰
.
中国专利
:CN211088224U
,2020-07-24
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