一种硅片背面金属化共晶结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320048769.1

申请日：

2013-01-30

公开(公告)号：

CN203179893U

公开(公告)日：

2013-09-04

发明(设计)人：

冯异陆宁

申请人：

申请人地址：

215617 江苏省张家港市杨舍镇乘航东苑路与镇中路交叉处西南角1室

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

徐琳淞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-04	授权	授权

共 50 条

[1]

硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺 [P].

冯异 ;

陆宁 .

中国专利 :CN103963375A ,2014-08-06

[2]

背面金属化共晶工艺方法 [P].

吴耀辉 .

中国专利 :CN104299922A ,2015-01-21

[3]

一种硅片背面金属化薄膜及其制作方法 [P].

宋忠孝 ;

唐宁 .

中国专利 :CN107195606A ,2017-09-22

[4]

一种背面金属化金共晶工艺 [P].

王献兵 .

中国专利 :CN112908848A ,2021-06-04

[5]

用于共晶焊的硅片背面金属化结构及加工工艺 [P].

王献兵 .

中国专利 :CN106653718B ,2017-05-10

[6]

一种晶圆背面金属化的方法及晶圆背面金属化结构 [P].

杨浩辉 ;

易文杰 ;

吕文利 ;

谢于柳 ;

石褔荣 .

中国专利 :CN114864396A ,2022-08-05

[7]

一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构 [P].

黄赛琴 ;

林勇 ;

黄国灿 ;

陈轮兴 .

中国专利 :CN205542755U ,2016-08-31

[8]

用于共晶焊的硅片背面金属化工艺 [P].

余之江 ;

马洁荪 ;

傅劲松 ;

王国庆 .

中国专利 :CN101887862B ,2010-11-17

[9]

适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构 [P].

王新潮 ;

冯东明 ;

叶新民 ;

王文源 ;

袁昌发 .

中国专利 :CN202103037U ,2012-01-04

[10]

一种晶圆背面的金属化结构 [P].

苏晋苗 ;

苏冠暐 .

中国专利 :CN212062396U ,2020-12-01

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