高电迁徒阻力的多层金属化结构及其设计方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95105950.5

申请日：

1995-06-15

公开(公告)号：

CN1138217A

公开(公告)日：

1996-12-18

发明(设计)人：

张炜李志国程尧海李学信孙英华

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号北京工业大学科研处

IPC主分类号：

H01L2943

IPC分类号：

代理机构：

北京工业大学专利代理事务所

代理人：

楼艮基;张慧

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-12-20	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2000-03-08	专利申请的驳回	专利申请的驳回
1996-12-18	公开	公开

共 27 条

[1]

芯片背面多层金属化结构 [P].

王新潮 ;

冯东明 ;

叶新民 ;

王文源 ;

江浩 .

中国专利 :CN201638807U ,2010-11-17

[2]

芯片背面复合材料多层金属化结构 [P].

王新潮 ;

冯东明 ;

叶新民 ;

王文源 ;

周晓明 .

中国专利 :CN201638808U ,2010-11-17

[3]

芯片背面复合材料多层金属化方法 [P].

王新潮 ;

冯东明 ;

叶新民 ;

王文源 ;

祝振 .

中国专利 :CN101826472A ,2010-09-08

[4]

陶瓷衬底上的多层金属化 [P].

S·阿德勒 ;

R·迪尔施 ;

A·蒂姆 .

中国专利 :CN105074913B ,2015-11-18

[5]

具有应力减少夹层的多层金属化 [P].

J.费尔斯特 ;

M.施内甘斯 .

中国专利 :CN102903688A ,2013-01-30

[6]

包括多层金属化的功率半导体器件 [P].

托马斯·埃德加·哈林顿三世 ;

布赖斯·麦克弗森 ;

斯科特·艾伦 .

美国专利 :CN120548611A ,2025-08-26

[7]

包括多层金属化层的半导体器件 [P].

伊沃·约翰内斯·梅蒂尔迪斯·玛丽亚·拉伊 .

中国专利 :CN1024066C ,1990-07-18

[8]

太阳能电池的多层金属化结构的实现方法 [P].

盛赟 ;

盛健 ;

袁声召 ;

王伟 ;

蔡文浩 ;

张淳 .

中国专利 :CN104465881A ,2015-03-25

[9]

多通道发射器阵列的多层金属化 [P].

A.V.巴夫 ;

M.G.彼得斯 ;

E.R.赫格布洛姆 .

中国专利 :CN113594853A ,2021-11-02

[10]

多层金属化芯板堆叠混合键合方法及结构 [P].

杨斌 ;

华显刚 ;

贺姝敏 .

中国专利 :CN120413426A ,2025-08-01