芯片背面复合材料多层金属化方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010119702.3
申请日
2010-03-04
公开(公告)号
CN101826472A
公开(公告)日
2010-09-08
发明(设计)人
王新潮 冯东明 叶新民 王文源 祝振
申请人
申请人地址
214431 江苏省江阴市滨江中路275号
IPC主分类号
H01L2160
IPC分类号
代理机构
江阴市同盛专利事务所 32210
代理人
唐纫兰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
芯片背面复合材料多层金属化结构 [P]. 
王新潮 ;
冯东明 ;
叶新民 ;
王文源 ;
周晓明 .
中国专利 :CN201638808U ,2010-11-17
[2]
芯片背面多层金属化结构 [P]. 
王新潮 ;
冯东明 ;
叶新民 ;
王文源 ;
江浩 .
中国专利 :CN201638807U ,2010-11-17
[3]
多层金属化膜 [P]. 
R·马佐拉 ;
T·卡普托 .
中国专利 :CN105764938A ,2016-07-13
[4]
多层金属化纸基包装材料 [P]. 
F·莫拉 ;
M·R·达拉 .
:CN120225569A ,2025-06-27
[5]
多层金属化纸基包装材料 [P]. 
F·莫拉 ;
M·R·达拉 ;
N·加莱弗 .
:CN120225570A ,2025-06-27
[6]
多层金属化纸基包装材料 [P]. 
A·巴塔查里亚 ;
J·I·尤卡莱宁 .
:CN120035700A ,2025-05-23
[7]
多层金属化纸基包装材料 [P]. 
A·巴塔查里亚 ;
M-A·F·S·格勒隆 ;
J·I·尤卡莱宁 ;
K·米苏姆 ;
N·加莱弗 ;
G·尼德赖特 .
:CN118922302A ,2024-11-08
[8]
在聚合物薄膜产品上的多层金属化复合材料及其制造方法 [P]. 
M·F·霍弗 ;
J·H·布拉德肖 ;
T·F·布尔克 .
中国专利 :CN1272072A ,2000-11-01
[9]
陶瓷衬底上的多层金属化 [P]. 
S·阿德勒 ;
R·迪尔施 ;
A·蒂姆 .
中国专利 :CN105074913B ,2015-11-18
[10]
高电迁徒阻力的多层金属化结构及其设计方法 [P]. 
张炜 ;
李志国 ;
程尧海 ;
李学信 ;
孙英华 .
中国专利 :CN1138217A ,1996-12-18