加热电极埋入式MEMS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711349119.X

申请日：

2017-12-15

公开(公告)号：

CN107915201A

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

宋焱

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢综合楼

IPC主分类号：

B81B702

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

叶栋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	公开	公开
2018-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/02 申请日:20171215

共 50 条

[1]

加热电极埋入式MEMS器件 [P].

宋焱 .

中国专利 :CN207760034U ,2018-08-24

[2]

MEMS器件及其制备方法 [P].

淮永进 ;

韦仕贡 ;

陈建鹏 ;

张立明 .

中国专利 :CN115947298B ,2025-11-11

[3]

MEMS器件及其制备方法 [P].

徐泽洋 ;

鲁列微 ;

隋欢 .

中国专利 :CN118306946A ,2024-07-09

[4]

MEMS器件及其制备方法 [P].

庄瑞芬 .

中国专利 :CN114455537B ,2022-05-10

[5]

MEMS器件及其制备方法 [P].

周延青 ;

潘华兵 ;

郑泉智 ;

胡铁刚 .

中国专利 :CN113660592A ,2021-11-16

[6]

MEMS器件及其制备方法 [P].

李鑫 ;

郭亮良 .

中国专利 :CN110366083B ,2019-10-22

[7]

MEMS器件及其制备方法 [P].

李鑫 ;

郭亮良 .

中国专利 :CN110366090B ,2019-10-22

[8]

MEMS器件及其制备方法 [P].

黄风建 .

中国专利 :CN110116984A ,2019-08-13

[9]

MEMS器件及其制备方法 [P].

徐日 ;

石丹丹 ;

刘桐源 ;

杨国煌 .

中国专利 :CN119306174A ,2025-01-14

[10]

MEMS器件及其制备方法 [P].

黄风建 ;

刘杰 .

中国专利 :CN110116983B ,2019-08-13

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