封装用高硅铝合金结构梯度材料高通量制备装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610287138.3

申请日：

2016-05-04

公开(公告)号：

CN105970013A

公开(公告)日：

2016-09-28

发明(设计)人：

贾延东王刚易军翟启杰

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C22C105

IPC分类号：

C22C2102 B22F310

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-02	授权	授权
2016-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101684689239 IPC(主分类):C22C 1/05 专利申请号:2016102871383 申请日:20160504
2019-12-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C22C 1/05 登记生效日:20191212 变更事项:专利权人变更前权利人:上海大学变更后权利人:苏州芯慧联半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200444 上海市宝山区宝山区上大路99号变更后权利人:215500 江苏省苏州市常熟高新技术产业开发区金门路2号2幢
2016-09-28	公开	公开

共 50 条

[1]

高硅铝合金电子封装材料的制备工艺 [P].

杨伏良 ;

易丹青 ;

甘卫平 ;

张伟 ;

刘泓 .

中国专利 :CN1877821A ,2006-12-13

[2]

新型高硅铝合金电子封装材料及其制备方法 [P].

杨伏良 ;

郭涵文 .

中国专利 :CN102978485A ,2013-03-20

[3]

高硅铝合金材料的制备方法 [P].

古朝雄 .

中国专利 :CN104674037A ,2015-06-03

[4]

一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法 [P].

华鹏 ;

李刚 ;

周伟 ;

李先芬 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN110450510A ,2019-11-15

[5]

一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法 [P].

邓宏贵 ;

王日初 ;

刘继嘉 .

中国专利 :CN105986134A ,2016-10-05

[6]

一种梯度材料的高通量制备方法及装置 [P].

张华 ;

李霞 ;

张文彦 ;

孟范超 ;

陈淑英 ;

黄海亮 ;

朱礼龙 ;

吴冲冲 ;

周鑫 ;

仝阳 ;

张尚洲 ;

江亮 .

中国专利 :CN113234904B ,2021-08-10

[7]

高硅铝合金的制备方法 [P].

刘向阳 .

中国专利 :CN103740956B ,2014-04-23

[8]

高硅铝合金及其制备方法 [P].

田永 ;

刘志祥 ;

毕红兴 ;

王建波 ;

何霞 ;

卢国洪 ;

袁崇胜 ;

刘惠军 ;

匡美淑 ;

段祖荣 ;

康万福 ;

王正勇 ;

周杰 ;

徐朝省 ;

鲁必耀 ;

张忠益 ;

赵兴凡 ;

任承伟 ;

赵茂庚 .

中国专利 :CN104831132A ,2015-08-12

[9]

高通量制备梯度成分合金的装置及方法 [P].

张博 ;

赵勇 ;

钟豪 ;

徐立明 ;

陈翔 ;

方泽楚 .

中国专利 :CN118392593A ,2024-07-26

[10]

一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺 [P].

杨伏良 ;

张伟 ;

甘卫平 ;

易丹青 ;

刘泓 .

中国专利 :CN100411158C ,2006-12-13

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