一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611125725.9

申请日：

2016-12-09

公开(公告)号：

CN108231560A

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

郑柳桑玲王嘉铭查祎英刘瑞吴昊田红林张文婷钮应喜杨霏

申请人：

申请人地址：

102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423 H01L2949 H01L2978

代理机构：

北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人：

徐国文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20161209
2018-06-29	公开	公开
2022-02-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种接触电极制备方法及MOSFET功率器件 [P].

田亮 ;

桑玲 ;

王嘉铭 ;

夏经华 ;

李玲 ;

李永平 ;

李嘉琳 ;

焦倩倩 ;

杜玉杰 ;

杨霏 .

中国专利 :CN108231559A ,2018-06-29

[2]

一种低功耗功率MOSFET器件及制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524473B ,2024-03-22

[3]

一种低功耗功率MOSFET器件及制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524473A ,2019-03-26

[4]

一种碳化硅MOSFET功率器件的制造方法 [P].

杨霏 ;

朱韫晖 ;

郑柳 ;

田亮 ;

夏经华 ;

刘瑞 ;

吴昊 ;

李永平 ;

李玲 ;

王方方 ;

查祎英 ;

张文婷 .

中国专利 :CN105118786A ,2015-12-02

[5]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472A ,2019-03-26

[6]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472B ,2024-07-19

[7]

SiC MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王中健 ;

肖兵 ;

黄肖艳 ;

徐大朋 .

中国专利 :CN110350035A ,2019-10-18

[8]

一种功率MOSFET器件栅电极结构 [P].

倪侠 ;

王全 ;

邹有彪 ;

张荣 ;

徐玉豹 .

中国专利 :CN115036365A ,2022-09-09

[9]

一种功率MOSFET器件栅电极结构 [P].

陆怀谷 .

中国专利 :CN204760387U ,2015-11-11

[10]

一种MOSFET功率器件的制备方法 [P].

徐海铭 ;

吴素贞 ;

洪根深 ;

吴建伟 ;

徐政 ;

刘国柱 ;

李燕妃 .

中国专利 :CN109037338A ,2018-12-18

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