一种碳化硅MOSFET功率器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510559434.X

申请日：

2015-09-06

公开(公告)号：

CN105118786A

公开(公告)日：

2015-12-02

发明(设计)人：

杨霏朱韫晖郑柳田亮夏经华刘瑞吴昊李永平李玲王方方查祎英张文婷

申请人：

申请人地址：

102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号（未来科技城）

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L29423

代理机构：

北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人：

徐国文

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-02	公开	公开
2020-11-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20151202
2016-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672910984 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201510559434X 申请日:20150906

共 50 条

[1]

一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法 [P].

杨霏 ;

朱韫晖 ;

郑柳 ;

田亮 ;

夏经华 ;

刘瑞 ;

张文婷 ;

吴昊 ;

李玲 ;

李永平 ;

查祎英 ;

王方方 .

中国专利 :CN105047542A ,2015-11-11

[2]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097B ,2024-10-11

[3]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097A ,2024-02-27

[4]

碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王德平 ;

张跃 ;

赵永强 ;

赵慧超 ;

张腾 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118380475B ,2024-10-18

[5]

碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王德平 ;

张跃 ;

赵永强 ;

赵慧超 ;

张腾 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118380475A ,2024-07-23

[6]

碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片 [P].

付振 ;

陈燕宁 ;

张泉 ;

尹强 ;

杨毓龙 ;

张文敏 ;

申占伟 ;

岳世忠 ;

朱晓钢 ;

要文波 ;

刘型志 .

中国专利 :CN117317025B ,2024-03-08

[7]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086A ,2022-07-22

[8]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086B ,2024-10-29

[9]

一种碳化硅MOSFET器件 [P].

邓小川 ;

侯子婕 ;

李旭 ;

朱浩 ;

孙燕 ;

李轩 ;

张波 .

中国专利 :CN111933715A ,2020-11-13

[10]

一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王谦 ;

柏松 ;

杨勇 .

中国专利 :CN110660863A ,2020-01-07

← 1 2 3 4 5 →