碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311589953.1

申请日：

2023-11-27

公开(公告)号：

CN117317025B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

付振陈燕宁张泉尹强杨毓龙张文敏申占伟岳世忠朱晓钢要文波刘型志

申请人：

北京智芯微电子科技有限公司中国科学院半导体研究所国网重庆市电力公司营销服务中心国家电网有限公司

申请人地址：

100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/336

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

郑海涛

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	授权	授权
2024-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231127

共 50 条

[1]

碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114899103A ,2022-08-12

[2]

碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114744027A ,2022-07-12

[3]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097B ,2024-10-11

[4]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097A ,2024-02-27

[5]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 ;

吴兵 .

中国专利 :CN111554746B ,2020-08-18

[6]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

陈辉 .

中国专利 :CN112117193A ,2020-12-22

[7]

碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

陈辉 .

中国专利 :CN113628973A ,2021-11-09

[8]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02

[9]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086A ,2022-07-22

[10]

碳化硅功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN114784086B ,2024-10-29

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