一种接触电极制备方法及MOSFET功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611125723.X

申请日：

2016-12-09

公开(公告)号：

CN108231559A

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

田亮桑玲王嘉铭夏经华李玲李永平李嘉琳焦倩倩杜玉杰杨霏

申请人：

申请人地址：

102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L29417 H01L2943 H01L2978

代理机构：

北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人：

徐国文

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20180629
2018-06-29	公开	公开
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20161209

共 50 条

[1]

一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件 [P].

郑柳 ;

桑玲 ;

王嘉铭 ;

查祎英 ;

刘瑞 ;

吴昊 ;

田红林 ;

张文婷 ;

钮应喜 ;

杨霏 .

中国专利 :CN108231560A ,2018-06-29

[2]

欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法 [P].

周炳 ;

陈雨雁 ;

龙飞 ;

陈明光 ;

郑国源 ;

莫淑一 .

中国专利 :CN109712877A ,2019-05-03

[3]

相变存储器接触电极的制备方法及相变存储器接触电极 [P].

孔涛 ;

卫芬芬 ;

黄荣 ;

张杰 ;

程国胜 .

中国专利 :CN103515535A ,2014-01-15

[4]

一种低功耗功率MOSFET器件及制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524473B ,2024-03-22

[5]

一种低功耗功率MOSFET器件及制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524473A ,2019-03-26

[6]

GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

谭永亮 ;

吕鑫 ;

赵红刚 ;

胡泽先 ;

崔玉兴 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN108597997B ,2018-09-28

[7]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472A ,2019-03-26

[8]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472B ,2024-07-19

[9]

SiC MOSFET功率器件及其制备方法 [P].

王中健 ;

肖兵 ;

黄肖艳 ;

徐大朋 .

中国专利 :CN110350035A ,2019-10-18

[10]

一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法 [P].

王浩敏 ;

谢红 ;

李蕾 ;

王慧山 ;

贺立 ;

陈令修 ;

张道礼 ;

邓联文 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN105070347A ,2015-11-18

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