封装结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711433328.2

申请日：

2017-12-26

公开(公告)号：

CN109962038A

公开(公告)日：

2019-07-02

发明(设计)人：

钟育华杨孟融陈彦儒王泰瑞

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

H01L2331 H01L2156

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/29 申请日:20171226
2021-02-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/29 申请公布日:20190702
2019-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

封装结构及其形成方法 [P].

郑锡圭 ;

张兢夫 ;

韩至刚 ;

黄信杰 .

中国专利 :CN107833864A ,2018-03-23

[2]

封装结构及其形成方法 [P].

吴懿轩 ;

陈琮瑜 ;

赖致廷 ;

庄立朴 ;

林信霆 .

中国专利 :CN119833485A ,2025-04-15

[3]

封装结构及其形成方法 [P].

潘志坚 ;

王卜 ;

郑礼辉 .

中国专利 :CN120015715A ,2025-05-16

[4]

封装结构及其形成方法 [P].

张勇舜 ;

李德章 ;

谢孟伟 ;

陈道隆 .

中国专利 :CN113035846A ,2021-06-25

[5]

封装结构及其形成方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN113488458A ,2021-10-08

[6]

封装结构及其形成方法 [P].

陈建勋 ;

余振华 ;

吴俊毅 .

中国专利 :CN112687651A ,2021-04-20

[7]

封装结构及其形成方法 [P].

陈建勋 ;

余振华 ;

吴俊毅 .

中国专利 :CN112687651B ,2024-11-01

[8]

封装结构及其形成方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN113488458B ,2025-09-26

[9]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN113851432B ,2025-12-23

[10]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN113851432A ,2021-12-28

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