硅蚀刻液、硅蚀刻方法以及硅鳍片结构体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010581674.0

申请日：

2020-06-23

公开(公告)号：

CN112143500A

公开(公告)日：

2020-12-29

发明(设计)人：

钟明谚高滨昌

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县

IPC主分类号：

C09K1300

IPC分类号：

C23F132 C23F102 C30B3310 C30B2906 H01L21306

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

陈亦欧;毛立群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-29	公开	公开
2022-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/00 申请日:20200623

共 50 条

[1]

硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法 [P].

清家吉贵 ;

东野诚司 ;

小林健司 ;

根来世 .

中国专利 :CN111518562A ,2020-08-11

[2]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

藤音喜子 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN102576674A ,2012-07-11

[3]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

矢口和义 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN102027579B ,2011-04-20

[4]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

矢口和义 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN101884095A ,2010-11-10

[5]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

矢口和义 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN102113098A ,2011-06-29

[6]

硅蚀刻液以及使用该硅蚀刻液的晶体管的制造方法 [P].

岛田宪司 ;

松永裕嗣 .

中国专利 :CN103109356A ,2013-05-15

[7]

硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法 [P].

清家吉贵 ;

东野诚司 ;

置盐真奈美 ;

小林健司 ;

根来世 .

中国专利 :CN113308249B ,2021-08-27

[8]

硅蚀刻液 [P].

置盐真奈美 ;

东野诚司 ;

清家吉贵 .

中国专利 :CN113243041A ,2021-08-10

[9]

硅的蚀刻方法 [P].

石井彻哉 ;

中岛节男 ;

大塚智弘 .

中国专利 :CN101427353B ,2009-05-06

[10]

硅的蚀刻方法 [P].

石井彻哉 ;

中岛节男 ;

大塚智弘 ;

功刀俊介 ;

佐藤崇 .

中国专利 :CN101816064B ,2010-08-25

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