硅蚀刻液以及使用该硅蚀刻液的晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180044539.1

申请日：

2011-07-26

公开(公告)号：

CN103109356A

公开(公告)日：

2013-05-15

发明(设计)人：

岛田宪司松永裕嗣

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L2128 H01L21306 H01L21336 H01L218234 H01L27088 H01L29423 H01L2949 H01L2978

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101700666832 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2011800445391 申请公布日:20130515
2013-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法 [P].

岛田宪司 ;

松永裕嗣 .

中国专利 :CN103081075A ,2013-05-01

[2]

硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法 [P].

清家吉贵 ;

东野诚司 ;

小林健司 ;

根来世 .

中国专利 :CN111518562A ,2020-08-11

[3]

硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法 [P].

清家吉贵 ;

东野诚司 ;

置盐真奈美 ;

小林健司 ;

根来世 .

中国专利 :CN113308249B ,2021-08-27

[4]

蚀刻液和使用了该蚀刻液的硅系基板的制造方法 [P].

大内直子 ;

柿泽政彦 ;

鹤本浩之 ;

渡边照巳 ;

河原进士 .

中国专利 :CN104303317A ,2015-01-21

[5]

蚀刻液、该蚀刻液的制造方法和使用该蚀刻液的蚀刻方法 [P].

河野良 ;

加藤胜 .

中国专利 :CN103132078A ,2013-06-05

[6]

硅蚀刻液 [P].

置盐真奈美 ;

东野诚司 ;

清家吉贵 .

中国专利 :CN113243041A ,2021-08-10

[7]

硅蚀刻液、硅蚀刻方法以及硅鳍片结构体的制造方法 [P].

钟明谚 ;

高滨昌 .

中国专利 :CN112143500A ,2020-12-29

[8]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

矢口和义 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN102027579B ,2011-04-20

[9]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

藤音喜子 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN102576674A ,2012-07-11

[10]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

矢口和义 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN102113098A ,2011-06-29

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