硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110220598.5

申请日：

2021-02-26

公开(公告)号：

CN113308249B

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

清家吉贵东野诚司置盐真奈美小林健司根来世

申请人：

申请人地址：

日本山口县周南市

IPC主分类号：

C09K1300

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/00 申请日:20210226
2022-12-30	授权	授权
2021-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法 [P].

清家吉贵 ;

东野诚司 ;

小林健司 ;

根来世 .

中国专利 :CN111518562A ,2020-08-11

[2]

硅蚀刻液以及使用该硅蚀刻液的晶体管的制造方法 [P].

岛田宪司 ;

松永裕嗣 .

中国专利 :CN103109356A ,2013-05-15

[3]

蚀刻液和使用了该蚀刻液的硅系基板的制造方法 [P].

大内直子 ;

柿泽政彦 ;

鹤本浩之 ;

渡边照巳 ;

河原进士 .

中国专利 :CN104303317A ,2015-01-21

[4]

硅蚀刻液及其制造方法、基板处理方法及硅器件制造方法 [P].

人见达矢 ;

清家吉贵 ;

野吕幸佑 ;

冲村孝史郎 .

日本专利 :CN117625197A ,2024-03-01

[5]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

矢口和义 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN102027579B ,2011-04-20

[6]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

矢口和义 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN101884095A ,2010-11-10

[7]

蚀刻液、该蚀刻液的制造方法和使用该蚀刻液的蚀刻方法 [P].

河野良 ;

加藤胜 .

中国专利 :CN103132078A ,2013-06-05

[8]

硅蚀刻液、硅基板的处理方法和半导体器件的制造方法 [P].

清家吉贵 ;

人见达矢 ;

野吕幸佑 .

日本专利 :CN118240553A ,2024-06-25

[9]

硅蚀刻液、硅蚀刻方法以及硅鳍片结构体的制造方法 [P].

钟明谚 ;

高滨昌 .

中国专利 :CN112143500A ,2020-12-29

[10]

硅蚀刻液和蚀刻方法 [P].

藤音喜子 ;

外赤隆二 .

中国专利 :CN102576674A ,2012-07-11

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