硅蚀刻液、硅基板的处理方法和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311783488.5

申请日：

2023-12-22

公开(公告)号：

CN118240553A

公开(公告)日：

2024-06-25

发明(设计)人：

清家吉贵人见达矢野吕幸佑

申请人：

株式会社德山

申请人地址：

日本山口县

IPC主分类号：

C09K13/00

IPC分类号：

H01L21/306

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-25	公开	公开
2024-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/00申请日:20231222

共 50 条

[1]

硅蚀刻液及其制造方法、基板处理方法及硅器件制造方法 [P].

人见达矢 ;

清家吉贵 ;

野吕幸佑 ;

冲村孝史郎 .

日本专利 :CN117625197A ,2024-03-01

[2]

硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法 [P].

清家吉贵 ;

东野诚司 ;

置盐真奈美 ;

小林健司 ;

根来世 .

中国专利 :CN113308249B ,2021-08-27

[3]

硅蚀刻液组合物、蚀刻方法及半导体器件制造方法 [P].

吴正植 ;

金学秀 ;

金起莹 ;

李明镐 ;

宋明根 .

韩国专利 :CN117887465A ,2024-04-16

[4]

硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

文暎善 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN111117625B ,2020-05-08

[5]

硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

文暎善 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN111303885B ,2020-06-19

[6]

硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN111484850A ,2020-08-04

[7]

硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法 [P].

清家吉贵 ;

东野诚司 ;

小林健司 ;

根来世 .

中国专利 :CN111518562A ,2020-08-11

[8]

蚀刻液和使用了该蚀刻液的硅系基板的制造方法 [P].

大内直子 ;

柿泽政彦 ;

鹤本浩之 ;

渡边照巳 ;

河原进士 .

中国专利 :CN104303317A ,2015-01-21

[9]

硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法 [P].

外赤隆二 ;

藤音喜子 .

中国专利 :CN102598224A ,2012-07-18

[10]

蚀刻方法，以及制造半导体基板产品的方法和使用所述半导体基板产品的半导体器件，以及用于制备蚀刻液的套件 [P].

上村哲也 ;

稻叶正 ;

室祐继 ;

西脇良典 .

中国专利 :CN104412371A ,2015-03-11

← 1 2 3 4 5 →