一种高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202122129409.1

申请日：

2021-09-06

公开(公告)号：

CN215771158U

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏周锦程杨卓刘晶晶

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区电腾路6号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517

代理人：

屠志力

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	授权	授权

共 50 条

[1]

高可靠性耗尽型功率半导体器件 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN203013735U ,2013-06-19

[2]

高可靠性半导体器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN211957635U ,2020-11-17

[3]

高可靠性整流半导体器件 [P].

李飞帆 ;

张屹 .

中国专利 :CN207199600U ,2018-04-06

[4]

高可靠性半导体器件 [P].

张雄杰 ;

何洪运 ;

程琳 .

中国专利 :CN106409804A ,2017-02-15

[5]

高可靠性功率半导体器件及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113745339B ,2021-12-03

[6]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN212033028U ,2020-11-27

[7]

低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法 [P].

杨飞 ;

白玉明 ;

吴凯 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN110444583A ,2019-11-12

[8]

高可靠性半导体器件加工设备 [P].

曹华文 .

中国专利 :CN222623887U ,2025-03-18

[9]

高可靠性半导体器件封装结构 [P].

彭兴义 .

中国专利 :CN210325753U ,2020-04-14

[10]

一种高可靠性光电半导体器件 [P].

石维志 ;

邓玉仓 ;

耿占峰 .

中国专利 :CN206864494U ,2018-01-09

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