一种低电阻率氧化铌掺铌溅射旋转靶材及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510180790.0
申请日
2015-04-16
公开(公告)号
CN104831243A
公开(公告)日
2015-08-12
发明(设计)人
罗永春 曾墩风 张斐 王志强
申请人
申请人地址
361000 福建省厦门市同安区苏厝路73号1#厂房第一层
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
C22C2912 C23C406 C23C412
代理机构
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218
代理人
方惠春
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
一种氧化铌旋转靶材及其制备方法 [P]. 
扈百直 ;
胥小勇 ;
刘孝宁 ;
张红梅 ;
赵清慧 ;
马文卫 ;
马建保 ;
杨小林 ;
胡海霞 .
中国专利 :CN103045995A ,2013-04-17
[2]
一种低电阻率五氧化二铌热压靶材及其制备方法 [P]. 
张瑜 ;
林志河 .
中国专利 :CN111606708A ,2020-09-01
[3]
一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法 [P]. 
罗永春 ;
曾墩风 ;
罗建冬 ;
王志强 .
中国专利 :CN104775097A ,2015-07-15
[4]
一种氧化铌旋转靶材及其制备方法 [P]. 
刘亚凡 ;
连升 ;
孙永利 ;
张涛 ;
文崇斌 ;
张文涛 ;
童培云 .
中国专利 :CN120249898A ,2025-07-04
[5]
一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材及其制备方法 [P]. 
胡强楠 ;
征卫星 ;
马文卫 ;
张帅 ;
赵志勇 ;
刘秉宁 ;
孟将 ;
李正飞 ;
饶晓方 .
中国专利 :CN110467462A ,2019-11-19
[6]
一种氧化铌旋转靶材及其制备方法 [P]. 
张士察 ;
孙振德 .
中国专利 :CN104961463B ,2015-10-07
[7]
铌旋转靶材及其制备方法 [P]. 
杨永杰 ;
秦颖楠 ;
朱永超 ;
陆海涛 ;
尹志锋 .
中国专利 :CN121178853A ,2025-12-23
[8]
氧化铌旋转靶材的制备方法 [P]. 
宋伟杰 .
中国专利 :CN110218090B ,2019-09-10
[9]
一种氧化铌喷涂粉、氧化铌靶材及其制备方法 [P]. 
董小雨 ;
刘文杰 ;
余芳 ;
童培云 .
中国专利 :CN120365065A ,2025-07-25
[10]
一种氧化铌靶材 [P]. 
侯俊男 ;
牛中奇 .
中国专利 :CN212770921U ,2021-03-23