硅晶片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410381875.0

申请日：

2014-08-05

公开(公告)号：

CN104347395A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

荒木浩司青木龙彦须藤治生仙田刚士

申请人：

申请人地址：

日本新潟县

IPC主分类号：

H01L21322

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

舒艳君;李洋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	公开	公开
2015-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601532648 IPC(主分类):H01L 21/322 专利申请号:2014103818750 申请日:20140805
2017-05-03	授权	授权

共 50 条

[21]

硅晶片及其制造方法 [P].

鸟越和尚 ;

小野敏昭 ;

川口隼矢 .

中国专利 :CN113517191A ,2021-10-19

[22]

硅外延晶片的制备方法 [P].

小野敏昭 ;

伊藤亘 ;

藤濑淳 .

中国专利 :CN109576796A ,2019-04-05

[23]

硅半导体晶片及其制造方法 [P].

中居克彦 ;

W·V·阿蒙 ;

福岛圣 ;

H·施密特 ;

M·韦伯 .

中国专利 :CN101187058B ,2008-05-28

[24]

硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法 [P].

矶贝宏道 ;

仙田刚士 ;

丰田英二 ;

村山久美子 ;

泉妻宏治 ;

前田进 ;

鹿岛一日児 ;

荒木浩司 ;

青木竜彦 ;

须藤治生 ;

望月阳一郎 ;

小林昭彦 ;

符森林 .

中国专利 :CN101638807B ,2010-02-03

[25]

硅晶片的制造方法 [P].

古屋田荣 ;

桥井友裕 ;

村山克彦 ;

高石和成 ;

加藤健夫 .

中国专利 :CN100435288C ,2007-02-21

[26]

硅晶片的制造方法 [P].

松山博行 .

中国专利 :CN109478512A ,2019-03-15

[27]

硅外延晶片及其制造方法 [P].

长谷川宏一 ;

大久保裕司 .

中国专利 :CN1304461A ,2001-07-18

[28]

外延硅晶片及其制造方法 [P].

木濑翔太 ;

山口浩司 .

日本专利 :CN120958554A ,2025-11-14

[29]

外延硅晶片及其制造方法 [P].

三浦雅之 .

日本专利 :CN120099637A ,2025-06-06

[30]

硅晶片的评价方法及制造方法 [P].

鸟越和尚 ;

小野敏昭 .

中国专利 :CN109477241A ,2019-03-15

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