具有半导体压力测量换能器的压力传感器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080009476.1
申请日
2010-02-02
公开(公告)号
CN102334019A
公开(公告)日
2012-01-25
发明(设计)人
雷蒙德·贝谢 拉尔夫·尼恩贝格尔 弗雷德·哈克尔 奥拉夫·克鲁泽马克 奥拉夫·特克斯托尔
申请人
申请人地址
德国毛尔堡
IPC主分类号
G01L900
IPC分类号
G01L1904
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
谷惠敏;穆德骏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
压力传感器及半导体装置 [P]. 
仲谷吾郎 .
中国专利 :CN202274956U ,2012-06-13
[22]
薄膜类型的半导体压力传感器 [P]. 
石王诚一郎 .
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[23]
具有单个压力换能器元件的双输出压力传感器 [P]. 
埃里克·克罗门赫克 ;
阿尔努·范登博斯 .
中国专利 :CN108444638A ,2018-08-24
[24]
带压力传感器的水声换能器 [P]. 
赵慧 ;
王艳 ;
赵欢 ;
张睿 ;
刘佳 ;
李科 .
中国专利 :CN207638885U ,2018-07-20
[25]
一种半导体压力传感器及其压力测量方法 [P]. 
黄晓东 ;
何欣怡 ;
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[26]
压力传感器模块、具有压力传感器模块的测量布置 [P]. 
福尔克马尔·雷希 ;
谢尔盖·洛帕京 ;
克劳迪娅·诺瓦克 .
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[27]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
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[28]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN104124244B ,2014-10-29
[29]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
出尾晋一 ;
田口元久 ;
山下彰 ;
吉田幸久 .
中国专利 :CN101273255B ,2008-09-24
[30]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
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中国专利 :CN113899488A ,2022-01-07