压力传感器及半导体装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120066855.6

申请日：

2011-03-11

公开(公告)号：

CN202274956U

公开(公告)日：

2012-06-13

发明(设计)人：

仲谷吾郎

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

G01L122

IPC分类号：

B81B702

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘建

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-13	授权	授权
2014-05-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582077212 IPC(主分类):G01L 1/22 专利号:ZL2011200668556 申请日:20110311 授权公告日:20120613 终止日期:20130311

共 50 条

[1]

半导体压力传感器装置 [P].

津幡智志 ;

泽村博之 .

中国专利 :CN107003201B ,2017-08-01

[2]

半导体压力传感器 [P].

温明生 .

中国专利 :CN2136466Y ,1993-06-16

[3]

半导体压力传感器 [P].

鲁相洙 ;

李应颜 ;

柳成昊 ;

金廷柱 ;

金景勋 .

中国专利 :CN110352505A ,2019-10-18

[4]

半导体压力传感器 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN107449538B ,2017-12-08

[5]

半导体压力传感器 [P].

吉川英治 ;

出尾晋一 .

中国专利 :CN102243125B ,2011-11-16

[6]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300744345D ,2008-02-13

[7]

半导体压力传感器 [P].

武田次郎 ;

市川范男 ;

鹤冈一广 .

中国专利 :CN85105726A ,1987-03-04

[8]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300735491D ,2008-01-23

[9]

半导体压力传感器 [P].

若杉信嘉 ;

德原实 ;

堀场启二 .

中国专利 :CN1536343A ,2004-10-13

[10]

半导体压力传感器 [P].

杨健生 .

中国专利 :CN100449815C ,2005-01-26

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