具有半导体压力测量换能器的压力传感器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080009476.1
申请日
2010-02-02
公开(公告)号
CN102334019A
公开(公告)日
2012-01-25
发明(设计)人
雷蒙德·贝谢 拉尔夫·尼恩贝格尔 弗雷德·哈克尔 奥拉夫·克鲁泽马克 奥拉夫·特克斯托尔
申请人
申请人地址
德国毛尔堡
IPC主分类号
G01L900
IPC分类号
G01L1904
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
谷惠敏;穆德骏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[41]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN105987783A ,2016-10-05
[42]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤正和 ;
伊东达也 ;
野口秀人 .
中国专利 :CN1739014B ,2006-02-22
[43]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN102121856B ,2011-07-13
[44]
电容式半导体压力传感器 [P]. 
杨健生 .
中国专利 :CN1571182A ,2005-01-26
[45]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
日本专利 :CN113899488B ,2025-02-28
[46]
梁膜结构的半导体压力传感器 [P]. 
于连忠 ;
鲍敏杭 ;
吴宪平 .
中国专利 :CN88211369U ,1988-12-28
[47]
压力传感器芯片及压力传感器 [P]. 
森原大辅 ;
井上胜之 .
中国专利 :CN107152982B ,2017-09-12
[48]
测量流体压力的压力传感器 [P]. 
特雷斯·J·特罗耶 .
中国专利 :CN101241031B ,2008-08-13
[49]
压力传感器模块和具有压力传感器模块的压力传感器设备 [P]. 
J·鲁伊斯伊达尔戈 ;
M·哈比比 ;
P·帕茨纳 ;
R·伊斯拉米 .
德国专利 :CN109768034B ,2024-07-02
[50]
压力传感器和具有这种压力传感器的压力传感器装置 [P]. 
M·哈尔比希 ;
M·哈比比 .
中国专利 :CN111811729A ,2020-10-23