半导体晶片镀金鼓泡装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120388576.1

申请日：

2011-10-12

公开(公告)号：

CN202259192U

公开(公告)日：

2012-05-30

发明(设计)人：

裘立强汪曦凌

申请人：

申请人地址：

225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H01L21288

IPC分类号：

H01L21445

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

董建林

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/288 申请日:20111012 授权公告日:20120530
2012-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体晶片显影装置 [P].

王晓岑 ;

裘立强 ;

王毅 .

中国专利 :CN203324649U ,2013-12-04

[2]

半导体晶片 [P].

宫下昭 ;

讃岐幸悦 ;

佐藤正和 .

中国专利 :CN1545723A ,2004-11-10

[3]

半导体晶片研磨装置和半导体晶片研磨方法 [P].

久保亨 .

中国专利 :CN1978136B ,2007-06-13

[4]

半导体晶片气蚀装置 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陈基益 .

中国专利 :CN202394847U ,2012-08-22

[5]

半导体晶片气蚀装置 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陆基益 .

中国专利 :CN103137520B ,2013-06-05

[6]

半导体晶片装置 [P].

陈良恺 ;

洪志强 ;

简文逸 ;

林元鸿 ;

杨昇帆 .

中国专利 :CN119695027A ,2025-03-25

[7]

半导体晶片及半导体装置 [P].

楠木淳也 ;

平野孝 .

中国专利 :CN101044617A ,2007-09-26

[8]

半导体晶片与半导体装置 [P].

郭书铭 .

中国专利 :CN120187183A ,2025-06-20

[9]

半导体晶片及半导体装置 [P].

松尾哲二 .

中国专利 :CN102593160A ,2012-07-18

[10]

半导体装置及半导体晶片 [P].

古田建一 ;

辻本雅夫 ;

寺田信广 ;

原口正博 ;

井上刚 ;

金子裕一 ;

黑木弘树 ;

古平贵章 .

中国专利 :CN114497176A ,2022-05-13

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