等离子体熔覆装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320597118.8

申请日：

2013-09-26

公开(公告)号：

CN203530432U

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

韦学运杨思泽

申请人：

申请人地址：

100088 北京市海淀区蓟门里和景园1-2-502号

IPC主分类号：

C23C2410

IPC分类号：

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 24/10 申请日:20130926 授权公告日:20140409 终止日期:20160926
2014-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

奥村智洋 ;

中山一郎 ;

川浦广 ;

幸本彻哉 .

中国专利 :CN102387653A ,2012-03-21

[2]

等离子熔覆装置 [P].

范立国 .

中国专利 :CN208701211U ,2019-04-05

[3]

等离子体喷枪 [P].

鲁伟员 ;

李信 ;

杨义乐 .

中国专利 :CN106269332B ,2017-01-04

[4]

等离子体模块 [P].

雷四财 ;

马爱民 .

中国专利 :CN114244127A ,2022-03-25

[5]

等离子体装置 [P].

苏恒毅 .

中国专利 :CN108882494B ,2018-11-23

[6]

等离子体处理装置、等离子体处理方法 [P].

舆水地盐 .

中国专利 :CN101908460A ,2010-12-08

[7]

等离子体装置和等离子体沉积设备 [P].

李翔 ;

种展鹏 ;

袁红霞 ;

王娟 ;

姚俊 .

中国专利 :CN119943637B ,2025-11-04

[8]

等离子体装置和等离子体沉积设备 [P].

李翔 ;

种展鹏 ;

袁红霞 ;

王娟 ;

姚俊 .

中国专利 :CN119943637A ,2025-05-06

[9]

等离子体喷镀头、等离子体喷镀装置及等离子体喷镀方法 [P].

小林義之 .

中国专利 :CN109023215A ,2018-12-18

[10]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻装置 [P].

永海幸一 ;

永关一也 .

日本专利 :CN118156181A ,2024-06-07

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