等离子体喷镀头、等离子体喷镀装置及等离子体喷镀方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810581457.4
申请日
2018-06-07
公开(公告)号
CN109023215A
公开(公告)日
2018-12-18
发明(设计)人
小林義之
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C23C4134
IPC分类号
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体喷镀装置和等离子体喷镀方法 [P]. 
大西辽 ;
西田辰夫 ;
古屋敦城 .
中国专利 :CN112410717A ,2021-02-26
[2]
等离子体喷镀装置 [P]. 
杦本正信 ;
山田谦一 ;
入江政信 .
中国专利 :CN102560323A ,2012-07-11
[3]
等离子体喷镀装置 [P]. 
杦本正信 ;
山田谦一 ;
入江政信 .
中国专利 :CN102534458B ,2012-07-04
[4]
等离子体喷镀装置和喷镀控制方法 [P]. 
小林義之 ;
桧森慎司 ;
古谷直一 .
日本专利 :CN109937613B ,2024-02-23
[5]
等离子体喷镀装置和喷镀控制方法 [P]. 
小林義之 ;
桧森慎司 ;
古谷直一 .
中国专利 :CN109937613A ,2019-06-25
[6]
喷镀喷嘴以及等离子体喷镀装置 [P]. 
吉田和弘 ;
深尾伸次 ;
东慧 ;
谷川秀次 ;
坊野匠 .
中国专利 :CN110997968A ,2020-04-10
[7]
等离子体处理装置用部件及其喷镀方法 [P]. 
小林义之 .
中国专利 :CN109256326A ,2019-01-22
[8]
等离子体头及等离子体产生装置 [P]. 
佐野裕贵 ;
池户俊之 ;
岩田卓也 .
日本专利 :CN119054416A ,2024-11-29
[9]
等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
森口尚树 .
中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25
[10]
等离子体处理装置、等离子体处理方法 [P]. 
舆水地盐 .
中国专利 :CN101908460A ,2010-12-08