一种多层超结半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010868843.9

申请日：

2020-08-25

公开(公告)号：

CN111863623A

公开(公告)日：

2020-10-30

发明(设计)人：

任杰马治军苏海伟

申请人：

申请人地址：

201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L29786

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

党蕾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	公开	公开
2020-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200825

共 50 条

[41]

一种超结半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN204706567U ,2015-10-14

[42]

一种超结半导体器件 [P].

张志 ;

周伟伟 .

中国专利 :CN216488021U ,2022-05-10

[43]

一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

李立伟 ;

杨云春 ;

陆原 ;

郭伟龙 ;

肖文贺 ;

谷佩霞 ;

陈学志 ;

李佩笑 .

中国专利 :CN115188707B ,2025-07-29

[44]

一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

贾涛 ;

林子荏 ;

李文超 ;

林政纬 ;

杨智强 .

中国专利 :CN121001387A ,2025-11-21

[45]

一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

金玄永 ;

郭挑远 ;

徐康元 ;

高建峰 ;

范正萍 ;

杨涛 ;

王文武 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN114446885A ,2022-05-06

[46]

一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

卢珂 ;

柳会雄 ;

李光煜 .

中国专利 :CN119698057A ,2025-03-25

[47]

一种超结器件的制备方法 [P].

马荣耀 ;

刘春华 .

中国专利 :CN107665920A ,2018-02-06

[48]

一种半导体器件的制造方法 [P].

黄晓波 ;

宋向东 .

中国专利 :CN114050135A ,2022-02-15

[49]

制造超结半导体器件的方法 [P].

大井明彦 .

中国专利 :CN102280383A ,2011-12-14

[50]

制造超结半导体器件的方法 [P].

儿玉奈绪子 .

中国专利 :CN102254850A ,2011-11-23

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