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一种多层超结半导体器件的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010868843.9
申请日：
2020-08-25
公开(公告)号：
CN111863623A
公开(公告)日：
2020-10-30
发明(设计)人：
任杰
马治军
苏海伟
申请人：
申请人地址：
201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2906
H01L29786
代理机构：
上海申新律师事务所 31272
代理人：
党蕾
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-10-30 | 公开 | 公开 |
| 2020-11-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200825 |