半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410685257.5

申请日：

2014-11-24

公开(公告)号：

CN104851445A

公开(公告)日：

2015-08-19

发明(设计)人：

宋根洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C712

IPC分类号：

G06F1320 H03K5135 H03K1908

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

俞波;许伟群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702994455 IPC(主分类):G11C 7/12 专利申请号:2014106852575 申请日:20141124
2018-10-30	授权	授权
2015-08-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

S·德克尔 ;

R·伊玲 ;

M·内尔希贝尔 .

中国专利 :CN105895628A ,2016-08-24

[2]

半导体器件 [P].

白坂健一 ;

铃木幸俊 .

中国专利 :CN101247676A ,2008-08-20

[3]

半导体器件 [P].

栋近功 .

中国专利 :CN103970345A ,2014-08-06

[4]

半导体器件 [P].

格特·弗里斯·埃里克森 ;

罗格·德雷乌斯 ;

卡斯滕·克里斯滕森 .

中国专利 :CN101573601A ,2009-11-04

[5]

半导体器件 [P].

守屋芳隆 ;

安部宽子 ;

汤川干央 ;

野村亮二 .

中国专利 :CN102682837B ,2012-09-19

[6]

半导体器件 [P].

G·斯希拉 .

中国专利 :CN206685363U ,2017-11-28

[7]

半导体器件 [P].

永田英稔 ;

石塚正则 ;

大塚龙志 .

中国专利 :CN101127030B ,2008-02-20

[8]

半导体器件 [P].

寺井真之 .

中国专利 :CN108666340A ,2018-10-16

[9]

半导体器件 [P].

中村真太郎 .

日本专利 :CN119233092A ,2024-12-31

[10]

半导体器件 [P].

A·克罗彻瑞 ;

A·奥斯特罗夫斯基 ;

J·瓦扬 ;

F·德努维尔 .

法国专利 :CN221466580U ,2024-08-02

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