水热条件下制备氮化物超微粉和氮化物晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02110066.7

申请日：

2002-02-07

公开(公告)号：

CN1364728A

公开(公告)日：

2002-08-21

发明(设计)人：

郝霄鹏崔得良于美燕徐现刚蒋民华

申请人：

申请人地址：

250100山东省济南市山大南路27号

IPC主分类号：

C01B2106

IPC分类号：

C01B21064 C01B21072

代理机构：

济南三达专利事务所

代理人：

孙君

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-11-03	授权	授权
2008-04-16	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-08-21	公开	公开
2002-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物晶体衬底和氮化物晶体衬底的制造方法 [P].

今野泰一郎 ;

横山正史 ;

藤仓序章 .

日本专利 :CN120138810A ,2025-06-13

[2]

氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底 [P].

今野泰一郎 ;

横山正史 ;

藤仓序章 .

日本专利 :CN119859847A ,2025-04-22

[3]

氮化物晶体 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN110777433A ,2020-02-11

[4]

氮化物晶体 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

铃木贵征 ;

北村寿朗 ;

藤本哲尔 ;

吉田丈洋 .

日本专利 :CN110777431B ,2024-02-06

[5]

氮化物晶体 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

铃木贵征 ;

北村寿朗 ;

藤本哲尔 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN110777431A ,2020-02-11

[6]

氮化物晶体 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN110777432A ,2020-02-11

[7]

氮化物晶体、半导体层叠物、氮化物晶体的制造方法和氮化物晶体制造装置 [P].

藤仓序章 ;

木村健司 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN114941177A ,2022-08-26

[8]

金属氮化物及金属氮化物的制造方法 [P].

辻秀人 .

中国专利 :CN1993292B ,2007-07-04

[9]

氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法 [P].

堀切文正 ;

木村健 .

中国专利 :CN110499533A ,2019-11-26

[10]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族氮化物晶体 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

谷崎圭祐 ;

佐藤一成 ;

中幡英章 ;

荒川聪 ;

山本喜之 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN102099510A ,2011-06-15

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