基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710064856.5

申请日：

2007-03-28

公开(公告)号：

CN101274738A

公开(公告)日：

2008-10-01

发明(设计)人：

易亮欧毅陈大鹏景玉鹏叶甜春

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

G01L100

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101114499235 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2007100648565 公开日:20081001
2008-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 [P].

易亮 ;

欧毅 ;

陈大鹏 ;

景玉鹏 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101274740A ,2008-10-01

[2]

基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 [P].

石莎莉 ;

陈大鹏 ;

欧毅 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN1900669A ,2007-01-24

[3]

基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 [P].

石莎莉 ;

陈大鹏 ;

欧毅 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN1900668A ,2007-01-24

[4]

表面摩擦剪切应力传感器 [P].

施芹 ;

苏岩 ;

裘安萍 .

中国专利 :CN201876332U ,2011-06-22

[5]

热敏表面剪切应力传感器 [P].

黄钦文 ;

苏岩 ;

裘安萍 ;

明晓 .

中国专利 :CN101520351A ,2009-09-02

[6]

表面摩擦剪切应力传感器 [P].

施芹 ;

苏岩 ;

裘安萍 .

中国专利 :CN102109402A ,2011-06-29

[7]

双轴表面剪切应力传感器 [P].

黄钦文 ;

苏岩 ;

裘安萍 ;

明晓 .

中国专利 :CN101482441B ,2009-07-15

[8]

多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器 [P].

吴健兴 ;

钟晓辉 ;

吴伟昌 ;

黎家健 .

中国专利 :CN110284117A ,2019-09-27

[9]

一种多晶硅应力传感器及其制作方法 [P].

豆传国 ;

杨恒 ;

吴燕红 ;

李昕欣 .

中国专利 :CN104724662B ,2015-06-24

[10]

带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法 [P].

刘晓为 ;

王喜莲 ;

揣荣岩 ;

陆学斌 ;

施长治 .

中国专利 :CN101639391A ,2010-02-03

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