基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710064878.1

申请日：

2007-03-28

公开(公告)号：

CN101274740A

公开(公告)日：

2008-10-01

发明(设计)人：

易亮欧毅陈大鹏景玉鹏叶甜春

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101114498085 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2007100648781 公开日:20081001
2008-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法 [P].

易亮 ;

欧毅 ;

陈大鹏 ;

景玉鹏 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101274738A ,2008-10-01

[2]

基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 [P].

石莎莉 ;

陈大鹏 ;

欧毅 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN1900669A ,2007-01-24

[3]

基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 [P].

石莎莉 ;

陈大鹏 ;

欧毅 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN1900668A ,2007-01-24

[4]

热解法二氧化硅 [P].

J·迈克 ;

M·肖尔茨 ;

M·罗施尼亚 .

中国专利 :CN101360682A ,2009-02-04

[5]

热解法二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

马里奥·肖尔茨 ;

马蒂亚斯·罗赫尼亚 .

中国专利 :CN1986403A ,2007-06-27

[6]

一种高性能二氧化硅-二氧化锡氢气传感器 [P].

张覃轶 ;

姚志伟 .

中国专利 :CN110161085A ,2019-08-23

[7]

二氧化硅的制备方法 [P].

陈华伦 ;

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 ;

陈雄斌 .

中国专利 :CN101442019A ,2009-05-27

[8]

采用二氧化硅隔离结构的压力传感器 [P].

赵甘鸣 ;

黄宜平 ;

鲍敏杭 .

中国专利 :CN2069171U ,1991-01-09

[9]

具有埋层二氧化硅的压力传感器结构 [P].

孙海鑫 ;

韩民俊 ;

乔康 ;

顾天刚 ;

陈艳 .

中国专利 :CN202216793U ,2012-05-09

[10]

二氧化硅薄膜及含二氧化硅薄膜元件的制造方法 [P].

李钱陶 ;

李定 ;

王潺 ;

金天义 ;

熊长新 .

中国专利 :CN111101096A ,2020-05-05

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