引线框架及其制造方法、半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97125823.6

申请日：

1997-12-24

公开(公告)号：

CN1186340A

公开(公告)日：

1998-07-01

发明(设计)人：

山口幸雄小贺彰野村彻南尾匡纪

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

中科专利代理有限责任公司

代理人：

黄永奎;汪惠民

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-10-02	著录事项变更	著录事项变更变更事项:申请人变更前:松下电子工业株式会社变更后:松下电器产业株式会社
1998-07-01	公开	公开
2014-02-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101572122227 IPC(主分类):H01L 23/495 专利号:ZL971258236 申请日:19971224 授权公告日:20040623 终止日期:20121224
2004-06-23	授权	授权
2000-03-22	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法 [P].

林真太郎 .

中国专利 :CN106847782A ,2017-06-13

[2]

引线框架及其制造方法、半导体装置 [P].

曾根原袈裟幸 .

中国专利 :CN118738007A ,2024-10-01

[3]

引线框架、半导体封装及其制造方法 [P].

R·M·西纳加 ;

N·坎苏拉特蒂 ;

M·雅兹德 .

中国专利 :CN101103460A ,2008-01-09

[4]

引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法 [P].

石桥贵弘 .

中国专利 :CN110622304A ,2019-12-27

[5]

引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P].

出冈淳 ;

林真太郎 ;

泷泽武志 .

日本专利 :CN121149120A ,2025-12-16

[6]

引线框架、引线框架的制造方法以及半导体装置 [P].

林真太郎 .

中国专利 :CN114695303A ,2022-07-01

[7]

引线框架及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P].

张启华 ;

吴波 ;

廖炳隆 ;

颜金国 .

中国专利 :CN101359599A ,2009-02-04

[8]

引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P].

笠原哲一郎 ;

松泽秀树 ;

大串正幸 ;

坂井直也 .

中国专利 :CN107039387B ,2017-08-11

[9]

引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P].

出冈淳 ;

石田公一 .

中国专利 :CN115588657A ,2023-01-10

[10]

引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P].

出冈淳 ;

石田公一 ;

吉见光织 .

中国专利 :CN114597188A ,2022-06-07

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