一种双镶嵌结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010154726.2

申请日：

2010-04-14

公开(公告)号：

CN102222639B

公开(公告)日：

2011-10-19

发明(设计)人：

韩宝东张海洋孙武

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	授权	授权
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101145516798 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010101547262 申请日:20100414
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101479946265 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010101547262 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121102
2011-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102856248A ,2013-01-02

[2]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102446814A ,2012-05-09

[3]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

范瑾巍 ;

赵永红 ;

高俊涛 ;

王向东 .

中国专利 :CN101154623A ,2008-04-02

[4]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

王向东 ;

赵永红 ;

高俊涛 .

中国专利 :CN101154622A ,2008-04-02

[5]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

田彬 ;

安辉 .

中国专利 :CN102097361A ,2011-06-15

[6]

一种双镶嵌结构的形成方法 [P].

周军 ;

傅昶 .

中国专利 :CN102427060A ,2012-04-25

[7]

双镶嵌结构的结构和形成方法 [P].

彭泰彥 ;

谢志宏 .

中国专利 :CN105374772B ,2016-03-02

[8]

双镶嵌结构的形成方法及沟槽形成方法 [P].

赵林林 ;

张海洋 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN101764059B ,2010-06-30

[9]

刻蚀方法和双镶嵌结构的形成方法 [P].

孙武 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN101459074A ,2009-06-17

[10]

双镶嵌结构及其形成方法、半导体器件 [P].

张海洋 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102760688A ,2012-10-31

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